Khám Phá Công Nghệ Pin Silicon-Carbon Trên Galaxy Z Fold8

Tại sự kiện Galaxy Unpacked diễn ra tại London vào sáng ngày 22 tháng 7, Samsung đã chính thức giới thiệu bộ ba sản phẩm Galaxy Z Fold8, Z Fold8 Ultra và Z Flip8. Đặc biệt, lần đầu tiên thương hiệu này áp dụng công nghệ pin silicon-carbon (Si-C) cho dòng điện thoại Galaxy. Galaxy Z Fold8 Ultra sở hữu pin với dung lượng 5.000mAh, đây là dung lượng lớn nhất từng thấy trên dòng Z Fold, cao hơn 600mAh so với phiên bản Z Fold 7 năm trước (4.400mAh) mà vẫn giữ được thiết kế mỏng nhẹ. Bản tiêu chuẩn Z Fold8 cũng được trang bị pin 4.800mAh với công nghệ Si-C tương tự.

Ông BD Yang, Phó chủ tịch điều hành và phụ trách công nghệ linh kiện lõi của Samsung, chia sẻ rằng việc chuyển sang pin Si-C không chỉ đơn thuần là thay đổi vật liệu cực âm. Theo ông, Samsung đã theo dõi kỹ lưỡng nhu cầu thị trường đối với loại pin này và nhận thức rõ ràng rằng nhiều đối thủ đã áp dụng trước đó. Tuy nhiên, Samsung luôn đặt ra tiêu chuẩn cao nhất cho hệ thống pin nên cần thời gian nghiên cứu chu đáo trước khi đưa vào áp dụng.

Tỷ lệ silicon trong pin của Galaxy Z Fold8 chỉ đạt 5%, thấp hơn nhiều so với một số hãng đến từ Trung Quốc. Việc sử dụng silicon-carbon thay cho than chì (graphite) ở cực âm giúp tăng khả năng lưu trữ ion lithium hiệu quả hơn trong cùng một thể tích, nhờ đó mà dung lượng pin được gia tăng mà không làm dày máy lên. Tuy nhiên, một thách thức lớn là silicon có thể giãn nở đến 300% trong quá trình sạc và xả, trong khi pin lithium-ion truyền thống chỉ giãn nở khoảng 10%. Do vậy, việc tăng tỷ lệ silicon đồng nghĩa với việc tiềm ẩn nhiều rủi ro như phồng pin và giảm tuổi thọ, đòi hỏi công nghệ phải phức tạp hơn để kiểm soát tốt hơn.

Honor, một trong những đối thủ cạnh tranh, là nhà sản xuất đầu tiên tích hợp pin Si-C vào smartphone, bắt đầu với dòng sản phẩm Magic5 ra mắt vào năm 2023. Đến tháng 6/2026, Honor tiếp tục gây ấn tượng với mẫu Honor X80 Pro Max, một điện thoại tầm trung có dung lượng pin lên tới 11.000mAh, cao nhất từng xuất hiện trên một smartphone phổ thông. Mẫu Honor Magic V6, điện thoại gập cao cấp của họ, sử dụng tỷ lệ silicon dao động từ 25% đến 32% tùy theo thị trường, cho pin từ 6.660mAh đến 7.150mAh. OnePlus 15 cũng sử dụng công nghệ Si-C với pin 7.300mAh, nhưng chỉ nặng hơn 1 gram và mỏng hơn so với thế hệ trước. Đầu năm nay, Motorola đã giới thiệu công nghệ này tại thị trường Mỹ với hai mẫu Razr Ultra 2026 và Razr Fold, đánh dấu lần đầu tiên ra mắt các thiết bị Si-C do các nhà mạng Mỹ phân phối.

Samsung thể hiện sự thận trọng với công nghệ pin Si-C, điều này gợi nhớ đến sự cố Galaxy Note 7 vào năm 2016 khi hàng loạt máy phát nổ khi sạc. Hãng phải thu hồi toàn bộ sản phẩm sau chưa đầy 2 tháng, gây thiệt hại khoảng 5,3 tỷ USD. Nguyên nhân đã được công bố vào năm 2017 là do hãng đã cố gắng gia tăng dung lượng pin tối đa, dẫn đến việc áp dụng thiết kế mới mà không đủ kiểm soát chất lượng. Nhiều hãng công nghệ quốc tế như Android Central và TechRadar cũng đã nhắc đến việc Samsung đã có thái độ bảo thủ trong việc nâng cấp công nghệ pin kể từ sự cố đó cho đến nay.

Trong khi Samsung đã chính thức triển khai, Apple và Google vẫn là hai ông lớn cuối cùng chưa áp dụng công nghệ pin Si-C. iPhone 17 Pro, mặc dù dày 8,7mm, nhưng chỉ trang bị pin 3.988mAh, thấp hơn so với nhiều đối thủ Android cùng phân khúc. Một số nguồn tin từ chuỗi cung ứng cho biết Apple đang thử nghiệm pin cực âm silicon nguyên chất cho iPhone dự kiến ra mắt vào năm 2027, kỉ niệm 20 năm iPhone, nhưng iPhone 18 ra mắt vào cuối năm 2026 sẽ vẫn chưa có pin Si-C.

Tại Việt Nam, giá của Galaxy Z Fold8 Ultra bắt đầu từ 52.990.000 đồng với phiên bản 256 GB, trong khi Galaxy Z Fold8 có giá từ 46.990.000 đồng và Galaxy Z Flip8 giá từ 31.990.000 đồng cho bản 256 GB. Chương trình đặt trước diễn ra từ ngày 22 tháng 7 đến 17 tháng 8, người dùng đặt trước sẽ nhận nhiều ưu đãi hấp dẫn lên tới 3 triệu đồng hoặc voucher giảm giá 2 triệu đồng, cùng với chính sách trả góp 0% lãi suất trong vòng 24 tháng và bảo vệ thay màn hình miễn phí trong 2 năm. Sản phẩm sẽ được giao đến tay khách hàng sớm nhất từ ngày 8 tháng 8.